کمپانی Samsung پیشرو در زمینه‌ی تولید حافظه‌های پیشرفته، امروز اعلام کرد که اولین نمونه‌های ۱۶ گیگابایتی حافظه‌های DDR4 مخصوص سرور را تولید کرده است. کمی قبل‌تر، این نوع حافظه‌ها با فرآیند ساخت ۳۰ نانومتری تولید شده است و در ماه ژوئن نمونه‌های ۸ و ۱۶ گیگابایتی آن رونمایی گردید، علاوه بر این برای، این محصولات جدید برای سازندگان اصلی پردازنده و کنترلر حافظه فراهم شده است. این ماژول‌ها بیشترین چگالی حافظه و کارایی را برای سرورها به ارمغان می‌آورند.

پیش از این در ماه دسامبر سال ۲۰۱۰ نیز سامسونگ اولین حافظه‌های DDR4 با فرآیند ساخت ۳۰ نانومتر و در ظرفیت ۲ گیگابایت را رونمایی کرده بود.

تکنولوژی حافظه‌های DDR4با استفاده از معماری جدید مداری برای سیستم‌های کامپیوتری، بالاترین کارایی را در میان انواع حافظه‌های موجود داراست به طوری که در سال آینده سرعت این حافظه‌ها ۲ برابر حافظه‌های DDR3 امروزی خواهد بود. حافظه‌های DDR3 امروزی با ولتاژ ۱٫۳۵ ولت فعالیت کرده و سرعتی برابر با ۱۶۰۰ مگابایت بر ثانیه دارند در حالی که حافظه‌های DDR4 با ولتاژ ۱٫۲ ولت کار می‌کنند.

سامسونگ روی تکمیل استانداردهای JEDEC در مورد حافظه‌های DDR4 کار می‌کند و انتظار می‌رود که تا ماه آگوست این کار پایان یابد.

سامسونگ اعلام کرده است که با مشتریانی مثل سازندگان سرورها، پردازنده‌ها و کنترلرها همکاری می‌کند تا بازار فروش خوبی برای این نوع حافظه‌های پرسرعت فراهم کند و طبق برنامه در سال آتی تولید انبوه حافظه‌های DDR4 را آغاز کند. همچنین قرار است بازار حافظه‌های درجه یک را با عرضه‌ی حافظه‌های DDR4 که با فرآیند ۲۰ نانومتریتولید شده گسترش دهد. این حافظه‌های DRAM در ظرفیت‌هایی تا ۳۲ گیگابایت ساخته می‌شوند.

سامسونگ پیشرفت حافظه‌های DRAM را رهبری می‌کند به طوری که در سال ۱۹۹۷ اولین حافظه‌های DDR، در سال ۲۰۰۱ اولین حافظه‌های DDR2 و در سال ۲۰۰۵ اولین حافظه‌های DDR3 را با فرآیند ۸۰ نانومتری عرضه کرد.